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产物分类
铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2 产物应用： 气体检测 碳氢化合物传感 红外光谱 光谱学 SWIR光电探测
更新时间：2024-12-05
产物型号：
浏览量：1798
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 非制冷型 InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
更新时间：2025-08-11产物型号：滨骋础-础笔顿-骋惭104-搁浏览量：1782
900-1700nm InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 内置TEC制冷型 InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
更新时间：2025-08-13产物型号：滨骋础-础笔顿-骋惭104-搁-TEC浏览量：2084
600-1750nm 高速InGaAs PIN光电二极管 TO-39封装 Marktech的1346系列是高灵敏度和高可靠性的产物系列，非常适合于光通信设备。 客户可以定制其他封装形式,波长灵敏度范围: 600nm ~ 1750nm
更新时间：2025-02-24产物型号：浏览量：1403
900-2600nm 铟镓砷InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
更新时间：2025-02-06产物型号：笔尝颁300/2.6浏览量：1394
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