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产物分类
InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 (非制冷型) InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
更新时间：2024-12-05
产物型号：
浏览量：1499
铟镓砷 InGaAs InGaAs PIN光电二极管 φ2mm InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
更新时间：2024-12-05产物型号：浏览量：1767
600-1750nm 高速InGaAs PIN光电二极管 TO-39封装 Marktech的1346系列是高灵敏度和高可靠性的产物系列，非常适合于光通信设备。 客户可以定制其他封装形式,波长灵敏度范围: 600nm ~ 1750nm
更新时间：2025-02-24产物型号：浏览量：1221
900-2600nm 铟镓砷InGaAs PIN光电二极管 φ0.3mm InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
更新时间：2025-02-06产物型号：笔尝颁300/2.6浏览量：1209
900-2600nm 铟镓砷InGaAs PIN光电二极管 φ3mm InGaAs 光电二极管主要用于近红外探测，具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围（0.5 μm to 2.6 μm）等特点。
更新时间：2025-02-06产物型号：浏览量：1201
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