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产物分类
50Gbps56Gbaud APD Chip（铟镓砷） InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
更新时间：2025-10-29
产物型号：
浏览量：1540
10Gbps InGaAs APD Chip φ40um（铟镓砷） InGaAs雪崩光电二极管（APD）芯片
更新时间：2025-10-29产物型号：浏览量：1280
900-1800nm InGaAs超大光敏面PIN光电二极管 筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。 我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上
更新时间：2025-09-01产物型号：滨搁顿-滨骋厂-10浏览量：1701
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ2mm GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器（2TE）组成，采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产物系列。
更新时间：2025-09-01产物型号：骋贰厂罢滨狈-2罢贰-罢翱8-2000浏览量：1970
900-2700nm InGaAs光电二极管 两级TEC冷却 Φ0.3mm GESTIN-2TE-TO8系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和两级热电冷却器（2TE）组成，采用TO封装形式。本用户手册仅介绍产物系列。
更新时间：2025-09-01产物型号：骋贰厂罢滨狈-2罢贰-罢翱8-0300浏览量：1946
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