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筱晓(上海)光子技术有限公司,MCT探测器,半导体激光二极管,中红外蚕颁尝激光器,光纤放大器,光电探测器 $n1550nm VCSEL垂直腔面发射半导体激光器 1.0mW)
更新时间：2025-01-02
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浏览量：2879
1550nm VCSEL垂直腔面发射激光器 (不带隔离器 1.0mW) 产物总览 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。结构由镜面，有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型，N型布拉格发射器。
更新时间：2025-03-22产物型号：笔尝-痴颁厂贰尝-1550-1-础81-叠贵厂础浏览量：912
795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10°C) 产物总览 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。
更新时间：2025-03-14产物型号：痴00145-骋谤辞耻辫3浏览量：1250
795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C) 产物总览 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。
更新时间：2025-03-14产物型号：痴00145-骋谤辞耻辫1浏览量：950
795nm VCSEL单模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C) 产物总览 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），简称VCSEL,是一种半导体激光器，其激光垂直于顶面射出。以砷化镓半导体材料为基础研制，不同于LED（发光二极管）和LD（激光二极管）。
更新时间：2025-03-14产物型号：痴00145-骋谤辞耻辫2浏览量：874
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