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1403nm MEMS VCSEL激光二极管

垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL）是一种以砷化镓半导体材料为基础研制的半导体激光器，其激光垂直于顶面发射，与发光二极管（LED）和激光二极管（LD）存在本质区别；它由反射镜面、有源层及金属接触层构成，其中两个发射镜分别为 P 型和 N 型布拉格反射器（DBR），有源区由量子阱组成，在 P 型 DBR 的外表面制备金属接触层以形成欧姆接触，并在 P 型 DBR 上开设圆形出光口用于激光输出；该激光器具有远场发散角小、光束窄且呈圆形，阈值电流低、调制频率高（可达 300kHz），以及通过改变激光电流和温度可实现波长调谐等特性，其封装内部集成了热电制冷器（TEC）和光电探测器（PD），专为高速光纤应用场景设计。

产物特点

7 引脚设计

非球面透镜帽

集成半导体制冷器（罢贰颁），控制温度稳定性

输出功率 1.6 毫瓦

单模，可通过 C-L 波段

支持单模工作且可覆盖 C-L 波段

宽光谱调谐范围：＞8 纳米

快速波长调谐（～100 KHz

产物应用

可调谐二极管激光吸收光谱（罢顿尝础厂）气体测量系统

人脸识别

激光雷达

数据中心、云计算

1403nm MEMS VCSEL激光二极管