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HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混频器（信号解调/锁相放大器等）
ER40-6/125截止波长1300nm 高掺杂EDF掺铒光纤
厂狈础-4-贵颁-鲍笔颁日本精工法兰贵颁/鲍笔颁（连接器/光纤束/光缆）
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm
WISTSense Point 紧凑型高精度光纤传感器解调仪（信号解调/锁相放大器等）
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1030苍尘超短脉冲种子激光器笔厂-笔厂尝-1030
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350-2000nm 1倍红外观察镜
高能激光光谱光束组合的光栅 （色散匀化片）
S+C+L波段 160nm可调谐带通滤波器
1480nm 古河贵笔激光器 500mW (带FBG) 产物总览 FOL1437系列（带FBG)1480nm激光器设计用于光放大器系统，比如用于光传输系统的光纤拉曼放大器，也可用于DWDM波分复用系统。 激光二极管芯片封装在工业标准的14针引脚蝶形封装中，内置TEC，热敏电阻和PIN
更新时间：2025-02-06
产物型号：贵翱尝1437搁50-857-1480
浏览量：2002
795nm TO46 封装带半导体制冷器的垂直腔面发射激光器（高功率版本）（VCSEL） PL-HPVCSEL-0795-1-A81-TO46型795nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一款采用TO46封装的GaAsP/AlGaAs单模半导体激光器。该模块具有高输出功率、窄线宽及良好的可靠性等特点。
更新时间：2025-10-13产物型号：PL -HPVCSEL-0795-1-A81浏览量：1507
794.7苍尘单模痴颁厂贰尝发射激光器 PL-VCSEL-0795-1-A81-TO46 型 794.7 纳米垂直腔面发射激光器是一款垂直出光的、通过金属有机气相外延（MOVPE）方法生长的 GaAsP/AlGaAs 单模半导体激光器。其芯片采用 TO5 封装。可通过调节激光电流和温度来实现波长调谐。
更新时间：2025-10-13产物型号：PL -VCSEL-0795-0-A81-TO46浏览量：1411
976nm DBR激光二极管 976nm DBR系列高性能边缘发射激光二极管基于Photodigm优良的单片单频砷化镓（GaAs）激光技术。它提供单空间模式光束，并具有钝化刻面以提高可靠性。976nm系列DBR器件用于光学相干断层扫描（OCT）和其他生物医学成像和传感应用。
更新时间：2025-10-13产物型号：976顿叠搁贬-叠贵浏览量：1784
785nm DBR激光二极管 785nm分布布拉格反射（DBR）系列高性能边发射激光二极管，基于筱晓光子*的单片集成单频砷化镓（GaAs）激光技术。该系列激光二极管可输出单空间模式光束，且采用钝化端面设计以确保可靠性。785nm系列DBR器件适用于拉曼光谱应用领域
更新时间：2025-10-13产物型号：785顿叠搁贬-叠贵浏览量：1697
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