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  • 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, >22 GHz 美国EOT

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, 22 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2024-12-06
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    浏览量:1181
  • 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, >22 GHz 美国EOT

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, 22 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的 10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2024-12-06
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  • 砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, >12.5 GHz 美国EOT

    砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, 12.5 GHz 美国EOT 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流

    更新时间:2024-12-06
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  • ET-5000-铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, >10 GHz 美 国EOT   PD

    铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT PD

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  • 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 >1.1 GHz 美国EOT

    硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 1.1 GHz 美国EOT筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产物 EOT 的<10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。

    更新时间:2024-12-06
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