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  • 硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 350MHz

    硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 350MHz

    更新时间:2024-12-07
    产物型号:
    浏览量:1232
  • 硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 200MHz

    硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 200MHz

    更新时间:2024-12-07
    产物型号:
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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ?1mm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ?1mm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

    更新时间:2025-02-06
    产物型号:
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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ?3mm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 800nm ?3mm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。

    更新时间:2025-02-06
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  • 硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm 感光直径1.0mm

    硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm 感光直径1.0mm

    更新时间:2024-12-07
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