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产物分类
硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。
更新时间：2024-12-05
产物型号：
浏览量：1996
905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径：0.23mm TO46) 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。
更新时间：2024-12-05产物型号：浏览量：1625硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.5mm TO46)硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。
更新时间：2024-12-05产物型号：浏览量：1410硅Si雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.8mm TO46)硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。
更新时间：2024-12-05产物型号：浏览量：1467硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.23mm LCC3) 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。
更新时间：2024-12-05产物型号：浏览量：1385
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