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产物分类1064nm 四象限Si光电探测器( 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W) 产物应用 ● 激光瞄准、制导跟踪及探索装置 ● 激光微定位、位移监控等精密测量系统
硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。
905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm (光敏面直径:0.23mm TO46) 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。
硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.5mm TO46)硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。
硅Si雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm 光敏面直径0.8mm TO46)硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。