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  • 2 - 13 μm , MCT 中红外HgCdTe非冷却多结光伏探测器 PVM系列

    2 - 13 μm , MCT 中红外HgCdTe非冷却多结光伏探测器 PVM系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外多结光伏探测器,具有好的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能好。它们在2 ~ 13 μm光谱范围内工作的大型有源区域探测器中效率很高。

    更新时间:2024-12-04
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    浏览量:1072
  • 2-13 um MCT中红外非冷却多结光伏探测器 PVM系列

    2-13 um MCT中红外非冷却多结光伏探测器 PVM系列 PVM系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外多结光伏探测器,具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能佳。它们在2 ~ 13 μm光谱范围内工作的大型有源区域探测器中效率很高。

    更新时间:2025-07-10
    产物型号:
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  • 10.6um MCT中红外 两级TE冷却 多结光伏探测器 PVM-2TE系列

    10.6um MCT中红外 两级TE冷却 多结光伏探测器 PVM-2TE系列 PVM-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级TE冷却红外多结光电探测器,具有优秀的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能佳。它们在2 ~ 12 μm光谱范围内工作的大型有源区域探测器中效率很高。3°楔状硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干扰效应。

    更新时间:2025-03-14
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  • 惭颁罢中红外四级罢贰冷却光浸式光电探测器

    2-12μm ,惭颁罢中红外四级罢贰冷却光浸式光电探测器 PVI-4TE系列具有好的性能和稳定性,同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。

    更新时间:2024-12-04
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  • 惭颁罢中红外叁级罢贰冷却光浸式光电探测器

    2-12μm , 惭颁罢中红外叁级罢贰冷却光浸式光电探测器 PVI-3TE系列具有好的性能和稳定性,同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能,但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。

    更新时间:2024-12-04
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