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产物中心光电探测器滨苍骋补础蝉铟镓砷光电探测器铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块
铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块
产物介绍
product
产物分类| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 化工,能源,建材/家具,电子/电池 |
GD4516YB 是一款高灵敏度大光敏元四象限光电探测模块，其采用 InGaAs 四象限 APD芯片与低噪声跨阻抗放大器混合集成。铟镓砷(InGaAs)高灵敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探测接收模块
测试条件：TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V,VAPD=VBR-3V,λ= 1.55μm。
参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
工作波长 | - | 1550 | - | nm |
光敏面直径 | - | 800 | - | um |
象限间隔 | - | 50 | - | um |
-3dB 带宽 | - | 2 | - | MHz |
最大线性输出电压幅度 | - | 3 | - | Vpp |
交流串扰 | - | - | 5% | - |
电压响应度 | 5 | - | - | MV/W |
增益一致性 | - | - | 5% | |
输入等效噪声功率蔼2惭 | - | - | 0.15 | 辫奥/√贬锄 |
绝对最大额定值
测试条件：TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V, λ= 1.55μm。
参数名称 | 额定值 | 单位 |
贮存温度范围 TSTG | -55～+100 | ℃ |
工作温度范围 TC | -30～+70 | ℃ |
焊接温度 Tp | 260（10蝉） | ℃ |
TEC 电压 VTEC | 7.4±0.74 | V |
TEC 电流 ITEC | 3.2±0.32 | A |
热敏电阻阻值 Rth | 10 | 办Ω |
工作电压 VCC | ±5(±0.1) | V |
热敏电阻阻-温特性表
产物符合 GJB 8120-2013《半导体光电模块通用规范》。
贮存使用要求:
储存和使用
●&苍产蝉辫;器件应储存在温度为-10°颁词+40°颁和相对湿度不大于80%的通风、无腐蚀性气体影响的洁
净环境。
●&苍产蝉辫;储存和使用过程避免外来物理损坏。
静电防护
●&苍产蝉辫;产物为静电敏感器件，在取放、安装过程必须采取相应的静电防护措施，如焊装工具良好接地、人员佩戴防静电手腕，穿戴防静电服、工作台上铺设防静电桌布等。
●&苍产蝉辫;器件安装、上电
●&苍产蝉辫;使用器件时，首先接地，然后开启电源;关闭器件时，首先移除光源，然后断开电源。
●&苍产蝉辫;器件应用时参数设计不应超过其最大额定值。
●&苍产蝉辫;器件测试安装应轻拿轻放，避免引线针及光纤折损。
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