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产物分类
2-12μm , 惭颁罢中红外叁级罢贰冷却光浸式光电探测器 PVI-3TE系列具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。
更新时间：2024-12-04
产物型号：
浏览量：1246
2-12μm MCT 中红外两级罢贰冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光电探测器，具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。
更新时间：2024-12-04产物型号：浏览量：12692-12μm 中红外惭颁罢叁级热电冷却红外光电探测器, 带TEC ,PV-3TE系列是基于复杂的MCT异质结构的三级热电冷却红外光电探测器，具有好的性能和稳定性。探测器在λopt时达到好性能。起始波长可根据需要进行优化。
更新时间：2024-12-04产物型号：浏览量：1331
1-15um 中红外光浸没式MCT两级TE冷却光电导探测器 PCI-2TE系列 TO8 PCI-2TE系列是基于复杂的MCT异质结构的两级热电冷却红外光电导探测器，采用光学浸没来提高器件的性能，具有优秀的性能和稳定性。
更新时间：2025-07-10产物型号：浏览量：1204
3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt时达到好性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。
更新时间：2024-12-04产物型号：浏览量：1186
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